All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 1

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 2

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 3

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 4

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 5

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 6

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF

฿16.28-65.10

MOQ: 1

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 1

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 2

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 3

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 4

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 5

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 6

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12

฿16.28-65.10

MOQ: 1

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 1

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 2

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 3

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 4

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 5

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 6

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16

฿16.28-65.10

MOQ: 1

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 1

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 2

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 3

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 4

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 5

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 6

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01

฿16.28-65.10

MOQ: 1

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 1

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 2

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 3

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 4

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 5

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13 - Product Image 6

GRT32EC80J476ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC80J476ME13

฿6.51-65.10

MOQ: 1

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 1

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 2

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 3

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 4

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 5

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

MCP1501T-10E ชิป IC VREF 1.024V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด

฿3.26-16.28

MOQ: 100

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 1

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 2

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 3

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 4

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 5

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF - Product Image 6

GCJ32EC71H106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 GCJ32EC71H106KA01 10uF

฿16.28-65.10

MOQ: 1

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 1

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 2

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 3

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 4

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 5

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13 - Product Image 6

GRT32EC81A226KE13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT32EC81A226KE13

฿16.28-65.10

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

yk bish omy ight yb iny shiatsu ys yyyy cie oki hue ary ikki awy zhou ayah aliyah gia yyy