All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 1
GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 2
GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 3
GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 4
GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 5
GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 6

GRM31CB10J106MA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 1
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 2
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 3
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 4
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 5
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 6

GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 1
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 2
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 3
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 4
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 5
GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF - Product Image 6

GRM21BR61A106KE14(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X5R GRM21BR61A106KE14 85 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 1
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 2
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 3
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 4
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 5
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 6

GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 1
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 2
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 3
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 4
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 5
GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18 - Product Image 6

GRM21BB31A106KE18(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE18

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 1
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 2
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 3
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 4
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 5
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 6

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 2
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 3
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 4
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 5
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 6

GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 1
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 2
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 3
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 4
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 5
GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39 - Product Image 6

GRM219B30J106ME39ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B30J106ME39

฿16.32-65.26
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy