All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 1
GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 2
GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 3
GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 4
GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 5
GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 6

GRT21BC81C106KE01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 1
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 2
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 3
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 4
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 5
GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36 - Product Image 6

GCM21BD70J226ME36(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM21BD70J226ME36

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 1
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 2
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 3
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 4
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 5
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 6

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 1
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 2
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 3
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 4
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 5
GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15 - Product Image 6

GRM319C80J226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM319C80J226ME15

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 1
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 2
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 3
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 4
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 5
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 6

GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 1
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 2
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 3
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 4
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 5
GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF - Product Image 6

GXT188C81C106ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GXT188C81C106ME13 10uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 1
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 2
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 3
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 4
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 5
GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01 - Product Image 6

GXT31CC8YA106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 35Vdc ±10% X6S 105 10uF GXT31CC8YA106KE01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 1
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 2
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 3
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 4
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 5
GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36 - Product Image 6

GCM31CD71H106KE36ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD71H106KE36

฿16.25-64.99
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy