All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC รุ่น CL31A226KPHNNNE คุณภาพสูง ขนาด 1206 ความจุ 22uF แรงดัน 16V ค่าความต้านทาน X5R รองรับการบายพาสที่มีประสิทธิภาพ กระแสไฟสูง ขาเชื่อมต่อที่ละเอียดอ่อนต่อการใช้งาน รองรับวงจรลอจิกที่ละเอียดอ่อน

฿0.3174-0.6347

MOQ: 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิกชนิด Through-Hole รุ่น RCER71H225K2K1H03B แบบ MLCC ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole THT, ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V รุ่น X7R

฿10.16-39.99

MOQ: 1

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 1

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 2

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 3

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 4

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 5

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 6

1210X475K101NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น4 7uF 100V X7R 1210 MLCC 10ความอดทนสำหรับวงจรแหล่งจ่ายไฟ

฿0.952-1.59

MOQ: 4

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิคเสาหิน22uF ที่มี MMSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ที่เชื่อถือได้สูงขึ้น

฿0.9774-1.27

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก FG26X7R2J472KNT06 แบบ Through-Hole (MLCC) ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 630V รุ่น X7R

฿2.86-12.38

MOQ: 5

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 1

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 2

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 3

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 4

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 5

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC - Product Image 6

FS55X225K251EGG 2 2 2uF 250V แผ่นเซรามิกที่ผ่านการรับรองความปลอดภัย X1Y2 10มม. ตัวเก็บประจุสำหรับกรองสาย EMI RFI AC

฿1.59-2.86

MOQ: 5

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 1

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 2

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 3

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 4

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 5

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์ - Product Image 6

0603B104K101NT 100nF ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด100โวลต์ MLCC 0603 1608เมตริก SMD ทนต่อความเป็นอิเล็กทริก X7R ได้10เปอร์เซ็นต์

฿0.3174-0.6347

MOQ: 48

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2J474KC1IER1K100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 470nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 630V, รุ่น X7R

฿11.11-43.48

MOQ: 1