All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R10TCCQ47 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 47pF 5% 1kV 6.4 มม.

฿30.47-114.55

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6347-2.86

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.6347-2.23

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104M26Y5UF5BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม.

฿0.3174-1.91

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103Z36Y5VN6FJ5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 5 มม.

฿0.952-3.50

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N9Y5V1E103MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V

฿0.6347-3.18

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 จำนวน 50 ชิ้น ขายดี คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน 16V แบบ SMD

฿0.3174

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UN6FJ5A0 ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6347-2.86

MOQ: 20