All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 1

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 2

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 3

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 4

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 5

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง - Product Image 6

GRM21BR61H475KE51L เซรามิกตัวเก็บประจุ MLCC 0805สี่จุดเจ็ด U ห้าสิบ V X5R ตัวเก็บประจุความต้านทานต่ำสำหรับรางแปลง

฿0.3164-0.6328

สั่งขั้นต่ำ: 9,000 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS53.5E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3164-1.27

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R06E1B102MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV 5 มม.

฿0.9492-3.17

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCS104Z26Y5VF6FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม.

฿0.6328-2.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม.

฿0.3164-0.9492

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.6328-2.85

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น - Product Image 1

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น - Product Image 2

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น - Product Image 3

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น - Product Image 4

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น - Product Image 5

0805ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น

สั่งขั้นต่ำ: 10 ม้วน

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PNEFL5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6328-2.85

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น