All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 1

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 2

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 3

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 4

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 5

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7R1E106M335JH

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 1

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 2

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 3

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 4

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 5

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC - Product Image 6

C2012X8L1A106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 1

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 2

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 3

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 4

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 5

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF - Product Image 6

CGA6P1X7R2A106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 100V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R2A106K250AC 10uF

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 1

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 2

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 3

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 4

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 5

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 6

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 1

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 2

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 3

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 4

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 5

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 6

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 1

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 2

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 3

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 4

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 5

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 6

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 1

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 2

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 3

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 4

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 5

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 6

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 1

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 2

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 3

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 4

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 5

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 6

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5