All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 1

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 2

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 3

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 4

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 5

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 6

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 1

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 2

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 3

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 4

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 5

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 1

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 2

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 3

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 4

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 5

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 6

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 1

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 2

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 3

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 4

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 5

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 6

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 1

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 2

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 3

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 4

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 5

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 6

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 1

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 2

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 3

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 4

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 5

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1H226M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX5R1H226M500JH

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 1

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 2

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 3

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 4

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 5

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC - Product Image 6

C3225X8L1C156M200AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 15 F 16V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3225X8L1C156M200AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 1

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 2

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 3

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 4

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 5

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB - Product Image 6

C3225X5R0J107M250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1210 100 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 100uF C3225X5R0J107M250AB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5