All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 1

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 2

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 3

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 4

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 5

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB - Product Image 6

C3225X6S0J107M250AB (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 100 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 100uF C3225X6S0J107M250AB

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 1

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 2

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 3

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 4

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 5

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC - Product Image 6

C1608X5R1A156M080AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 0603 15 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 15uF C1608X5R1A156M080AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 1

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 2

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 3

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 4

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 5

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 6

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 1

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 2

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 3

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 4

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 5

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE - Product Image 6

C7563X7S1C107M280LE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 3025 100 F 16V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF C7563X7S1C107M280LE

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 1

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 2

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 3

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 4

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 5

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 6

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ

฿16.65-66.58

MOQ: 1

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 1

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 2

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 3

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 4

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 5

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 6

C3225X5R1A336M200AC (ความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 33uF C3225X5R1A336M200AC

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 1

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 2

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 3

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 4

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 5

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1H476M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF CKG57NX7R1H476M500JH

฿16.65-66.58

MOQ: 1

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 1

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 2

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 3

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 4

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 5

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH - Product Image 6

CAA572X7R1E107M670LH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 100 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 100uF CAA572X7R1E107M670LH

฿16.65-66.58

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5