All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 1

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 2

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 3

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 4

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 5

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 6

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB

฿16.36-65.42

MOQ: 1

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 1

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 2

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 3

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 4

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 5

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH

฿16.36-65.42

MOQ: 1

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 1

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 2

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 3

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 4

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 5

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 6

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC

฿16.36-65.42

MOQ: 1

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 1

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 2

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 3

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 4

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 5

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 6

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB

฿16.36-65.42

MOQ: 1

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 1

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 2

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 3

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 4

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 5

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface - Product Image 6

BOM IC In Stock Electronic Chips Component PI3PCIE3442AZLEX-55 Interface

฿10.80-21.27

MOQ: 1

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 1

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 2

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 3

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 4

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 5

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC - Product Image 6

C2012X7S1E106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 25 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1E106K125AC

฿16.36-65.42

MOQ: 1

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ช่องจำหน่ายของผู้ผลิต หน่วยความจำ 32 LCC SST39SF010A-55-4C-NHE ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿17.18-34.35

MOQ: 1

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 1

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 2

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 3

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 4

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 5

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC - Product Image 6

C3225X7S1A336M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 33 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 33uF CGA6M1X7S1A336M200AC

฿16.36-65.42

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5