All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

MCD162-16IOI อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ MOSFET รุ่น NDB6060L ไอซี N-Channel 60V 60A กระแสสูง ความต้านทานต่ำ ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟคกำลังสูง NDB6060L

฿12.94-54.99

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 1

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 2

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 3

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 4

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 5

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้ - Product Image 6

ABU / MOSFET RJF0605JPD-01 # J3 TO 252 3, DPAK (2 ขา + แท็บ), SC 63 บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้

฿15.53-50.13

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 1

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 2

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 3

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 4

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 5

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA) - Product Image 6

E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Electronic Circuit Components SIHS90N65E-GE3 Authorized Distributor SUPER-247 (TO-274AA)

฿115.14-229.96

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 1

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 2

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 3

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 4

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 5

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF - Product Image 6

IRLML2502TRPBF พาวเวอร์มอสเฟท20V 2.5A แพ็คเกจ SOT-23รุ่น TRPBF

฿28.47

สั่งขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ IRFP150NPBF ไป-247 100V มอสเฟทพลังงาน42A แบบใหม่ดั้งเดิม

฿11.49-22.97

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 1

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 2

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 3

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 4

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 5

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม. - Product Image 6

TZ430N22KOF อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO ขนาด 530x465x427 มม.

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 1

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 2

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 3

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 4

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 5

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201 - Product Image 6

IRLR8103V ชิปไอซีเพาเวอร์ไอซี MOSFET แบบ N-Channel บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน A201

฿11.32-32.35

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: