All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 1

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 2

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 3

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 4

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 5

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT - Product Image 6

IRF540NSTRLPBF ไฟแชนแนล N 33A 100V D2PAK RDS ต่ำบน44มิลลิโอห์มสลับเร็วหิมะถล่มที่จัดอันดับสำหรับการประกอบ SMT

฿4.21-8.41

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 1

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 2

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 3

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 4

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 5

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1 - Product Image 6

RD15HV RD15HVE1ทรานซิสเตอร์แรงดันสูง N-Channel Power MOSFET Component | B926 RD15HVF1

฿64.04-256.15

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

KDE2404PEVX อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.24-7.44

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 1

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 2

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 3

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 4

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 5

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน - Product Image 6

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ISL89161FRTAZ BOM IC มีสินค้าในสต็อก 8 WDFN แบบมีแผ่นต่อพ่วงภายนอก ไดรเวอร์ MOSFET แบบ AND GATE BASED สำหรับการจัดการพลังงาน

฿28.79-57.25

สั่งขั้นต่ำ: 86 ชิ้น

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบแยกส่วน รุ่น 30F12 ของแท้ใหม่ แพ็คเกจ TO220F ใช้งานได้ที่อุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียสถึง 150 องศาเซลเซียส สำหรับจอ LCD และแหล่งจ่ายไฟ

฿25.88-38.82

สั่งขั้นต่ำ: 2 ชิ้น

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 1

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 2

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 3

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 4

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 5

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits - Product Image 6

Manufacturer Channel E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Transistors PowerPAK10 x 12 SIHK125N65E-T1-GE3 Original Integrated Circuits

฿56.28-112.23

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 1

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 2

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 3

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 4

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 5

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V - Product Image 6

TO-220AB IRFZ34N ทรานซิสเตอร์ใหม่และดั้งเดิม Mosfet พลังงาน29A 55V

฿6.31-12.62

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 1

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 2

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 3

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 4

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 5

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E - Product Image 6

TO-3P ทรานซิสเตอร์มอสเฟททำงานแบบ Single-Channel แบบ FMV19N60E 19N60E

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: