All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

SKKT91/14E อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

CR8PM-12 อินฟ-อินีออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 1

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 2

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 3

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 4

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 5

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C - Product Image 6

LM1117-3.3 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 1

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 2

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 3

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 4

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 5

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co - Product Image 6

ไอซีจัดการพลังงาน (PMIC) MIC4423ZWM BOM มีสินค้าในสต็อก 16 SOIC (0.295 นิ้ว, กว้าง 7.50 มม.) MOSFET แบบ LOW SIDE คู่ 3A PEAK ของบริษัท DRI Electronic Co

฿12.66-25.31

สั่งขั้นต่ำ: 189 ชิ้น

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

G30N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

PAL013A อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 1

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 2

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 3

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 4

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 5

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83 - Product Image 6

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ทรีดิ้ง เอ็บี/ โมสเฟต RJE0601JPE-00 # J3 ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่นดั้งเดิม SC 83

฿51.88-122.09

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 1

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 2

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 3

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 4

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 5

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C - Product Image 6

22UF 50V Inf-Inf-ineon MOSFET ความถี่สูงพื้นผิวเครื่องขยายเสียง-50C ไปยัง150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: