All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Power mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

DNC-63-40-PPV-A-KP อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

BZX85C3V3-TAP อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

BTA41-800BRG อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

BYW81PI200 อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 1

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 2

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 3

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 4

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 5

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด - Product Image 6

ชุด MOSFET ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ISL6563CR-TK ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) 24 VFQFN แบบมีพื้นผิวเปิด

฿13.29-26.26

สั่งขั้นต่ำ: 182 ชิ้น

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

LC1D326M7C อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

SSR-25DA อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.28

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: