All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C106M020AT ขนาด 2312 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y5V222M1KV16CC0035 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC74DSL4B10MN ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-N9Y5V1D103MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น W07B1D221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 5kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MKT1818410015 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

0805B123K500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 12nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1