All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07F1B472MN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6328-1.90

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFC1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 71.25mA-120Hz

฿4.12-15.82

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y10B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 6.3kV ระยะขา 10 มม.

฿1.59-6.33

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A473ME1IEF4GF61MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม.

฿3.17-12.34

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M6Y5V1B222MSE ชนิด THT (Through Hole Component), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6328-2.85

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น Y07B1D221KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดันไฟฟ้า 6.3kV ระยะขา 10 มม.

฿1.59-6.02

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B335M016AT 1411 ( ความจุ: 3.3uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿4.75-18.99

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

TAJB475K025RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

฿3.80-14.56

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น