All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSC686M016R0200 รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿14.61-57.48

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB102J400D01ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 1nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์

฿2.23-9.21

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 1H333ZA1P-3F-ZNR ชนิด Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม.

฿0.3176-0.9526

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM826M200K25RR0VH2FP0 ขนาด D16xL25 มม. 82uF 20% 200V 7.5 มม.

฿3.50-13.98

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D156X9035D2TE3 รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

฿15.25-60.33

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 1

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 2

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 3

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 4

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 5

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 6

HGK3FF102MG3BW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม.

฿3.82-15.56

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVCC153Y6P151MEAX แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 150pF 20% 15kV 12.5 มม.

฿61.60-224.17

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R60MI41005030K ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 400V )

฿13.02-50.81

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น