All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491D476K016AT รุ่น CASE-D-7343 ( ความจุ: 47uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491A225M016AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 2.2uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A224JD5B0072075035ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 220nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C222G104J40C000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100nF 5% 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D475X9035D2TE3 CASE-D-7343-31(มม.) 4.7uF 10% 35V 1.3โอห์ม

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1