All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A334JC1F7B062A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 330nF 5% 100V

฿1.59-6.03
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 1
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 2
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 3
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 4
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 5
ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ EEE1HA2R2AR อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.4mm 2.2uF 20% 50V 16mA-120Hz

฿0.3174-1.59
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม.

฿0.3174-1.27
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55V477M6R3C0050 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V

฿24.44-92.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2G3ES2031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 22nF 10% 400V

฿0.952-3.50
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับลดสัญญาณรบกวน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม.

฿5.08
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2
2 yrscountry flagTW5.0/5.0
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF563J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 56nF 5% 400V

฿0.952-3.50
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0201C0G3R9C500NTA ขนาด 0201 ความจุ 3.9pF แรงดัน 50V ชนิด C0G

฿0.3174-0.952
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

f ufวงจร rc filter5fคาปาซิเตอร์พัดลมcapacitor cbb61 250vac 50 60hz 3ufคา ปา ซิ เตอร์ มอเตอร์ ปั๊ม น้ำcapacitor พัดลม hatari 18 นิ้วcbb60 32ufเครื่อง ปล่อย ประจุ ลบ ห้อย คอ กัน โค วิดwww ufcbb60 10uf 450vac 50 60hzcbb60 8uf 450vcapacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzcapacitor hatari 18 นิ้วคา ปา ปั๊ม น้ำcbb60 6ufkondensator cbb60 20ufอะ โว คา โด บั ค คา เนีย ประโยชน์cbb60 450vac 50 60hz 25 70 21cbb60 50uf