All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ ซึม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TR3E106K050C0400 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

฿35.23-128.83

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2E473JD1B0070065035EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-C025K106T รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T494A106K010AT ขนาด 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F332K69Y5RN63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF224K2G3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 220nF 10% 400V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B107M6R3C0040 1411 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF393J2J4AS4031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 39nF 5% 630V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10