All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1C471P ขนาด D10xL10.2 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 16V กระแสไฟ 340mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ EEE1HA101AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 100uF 20% 50V 250mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U

฿112.53-382.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K46YR NEVJ7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF 10% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1B101KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

GRM188R71H273KA61D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 27nF )(ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3161-0.9483

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A201KE1IEB4597100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

TAJB105K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1