All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH331K22Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 330pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EMLE250ADA101MHA0G ขนาด D8xL10 มม. 100uF 20% 25V 116mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1C101AP ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 16V 130mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL12-F10-471K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะห่างขา P=10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1652H100MV, ขนาด D10xL16.5 มม. 10uF 20% 500V 260mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PPBVK7A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 2kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE0GA101SR ขนาด D5xL5.4 มม. 100uF 20% 4V 61mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20