All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETP1V221AP ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 35V 325mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

TC212A336M010Y ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-A-3216-18(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-475K035BT รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491B107K006AT รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M5Y5V1B102MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 20% 2kV Y5V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ EEEHA1C331AP อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10.2mm 330uF 20% 16V 230mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 1

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 2

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 3

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 4

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 5

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 6

TAJD107K020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10B1E102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10