All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

C1005C0G1H330JT000F ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 33pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402Y474Z010T ขนาด 0402 ( ความจุ: 470nF ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G6R8MV, ขนาด D10xL13 มม. ความจุ 6.8uF 20% ความทนทานไฟฟ้า 400V กระแสไฟ 270mA ความถี่ 100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

0805F183M500NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 18nF )(ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

TPB150M1EB19100RN ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบ SMD,3.5x2.8 มม. ( ความจุ: 15uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D223ZE1IEF4DG70MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X102K501T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 500V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F472MD1IEF48F6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10