All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ UCJ1H101MCL1GS อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D10xL10mm 100uF 20% 50V 165mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

GRM188R11E333KA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 33nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW151M1VTR-0810K อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 1

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 2

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 3

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 4

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 5

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz - Product Image 6

ULH2W3R9MNL1GS ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL10mm 3.9uF 20% 450V 35mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETC1V101P ขนาด D8xL10.2 มม. 100uF 20% 35V 410mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ULH2G5R6MNL1GS, ขนาด D10xL10 มม. 5.6uF 20% 400V 45mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B472MSE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV101UAP, ขนาด D8xL10.2 มม., 100uF, 20%, 35V, 120mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1