All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

TAJD226M016RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF473J2L3WS4040A1 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม3B2A103JD5B0072065025ES0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E270JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 5% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C242E222J20C00 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 250V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07B3E101KA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 4kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10