All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P8Y5V1E472MSEW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาด 10 มม.

฿1.91-7.31

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 1

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 2

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 3

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 4

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 5

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 6

CC45SL3AD101JYSNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม

฿0.9526-3.50

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C232E475KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 4.7uF 10% 250V

฿16.20-61.29

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D107X9016E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V

฿24.77-93.04

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

TAJD337M010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

฿13.66-53.66

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EKM226M1HD11RR (THT), ขนาด D5xL11 มม. 22uF 20% 50V 2 มม.

฿0.6351-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม.

฿0.3176-1.59

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-204J630VDCP15D14ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 200nF 5% 630V โพรพิลีนโลหะ

฿9.53-37.79

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น