All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 1

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 2

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 3

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 4

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 5

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค - Product Image 6

X7R 1808 3kV 2.2nFตัวเก็บประจุเซรามิค

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2E2334KQ1B0170110060EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 330nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

TAJC475K050RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-C-6032 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุไดโย Yuden MSASU21GSB7105KTNA01 UMK212B7105KG-T 0805 100ตัวตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกสูง10% 1UF 50V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

TAJB106K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ECQE2224KF ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 250V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X5R333M160NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้า: 16V )

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1