All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปาย คา ร์ แคร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF563J2J4KS4035A1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 56nF 5% 630V

฿1.28-5.09

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CL112J222J0501 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 2.2nF 5% 630V โพลีเอสเตอร์

฿0.3176-0.9526

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1VA220WR, ขนาด D5xL5.4 มม., 22uF, 20%, 35V, 36mA-120Hz

฿2.55-10.48

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V

฿1.59-6.36

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K26YR P6BL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 2kV 5 มม.

฿0.6351-2.86

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-M7Y5P1B102KSEW ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6351-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222M30Y5UP6FL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6351-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

HGK3DE472MG4DW ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=10 มม.

฿2.86-11.44

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น