All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

N channel mosfet คือ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 1

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 2

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 3

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 4

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 5

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต - Product Image 6

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน6 WDFN แผงสัมผัส FAN3100TMPX ช่องทางผู้ผลิต

฿15.82-60.69

MOQ: 1

Mosfet N-CH 150V 360A TO264AA IXFK360N15T2 - Product Image 1

Mosfet N-CH 150V 360A TO264AA IXFK360N15T2

฿484.22-1,614.04

MOQ: 1

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 1

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 2

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 3

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 4

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 5

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 6

การจัดการพลังงานช่องผู้ผลิต (PMIC) 8 solc (ความกว้าง0.154 "3.90มม.) FAN3268TMX ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์

฿21.96-79.09

MOQ: 1

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่นใหม่ IXYS IXFH12N120P ของแท้ ชนิด N Channel 1.2 KV 12A 1.35 โอห์ม TO-247 แบบ Through Hole 1.15 Rds ผลิตในสหรัฐอเมริกา -55C~155C

฿193.69

MOQ: 1

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 1

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 2

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 3

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 4

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 5

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง - Product Image 6

IRF740 IRF740PBF TO-220 N-channel 400V/10A ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบเสียบตรง

฿12.27-12.92

MOQ: 10

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 1

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 2

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 3

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 4

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 5

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 6

FAN7080M-GF085ช่องผู้ผลิต8 solc (0.154 "ความกว้าง3.90มม.) ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์การจัดการพลังงาน (PMIC)

฿19.70-39.39

MOQ: 9

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 1

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 2

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 3

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 4

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 5

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G - Product Image 6

ICMICRO มีสินค้าในสต็อก ทรานซิสเตอร์ MOSFET IGBT ของแท้ใหม่จากผู้ผลิต SMMUN2214LT1G

฿16.79

MOQ: 10

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 1

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 2

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 3

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 4

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 5

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ - Product Image 6

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ

฿5.82-10.66

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: