รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา MOSFET รุ่น GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 N-Channel RDS บน 18mOhm 10V TO-220 -55C ถึง +150C เสียงรบกวนต่ำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
GT150N12Tหมายเลขรุ่น
มอสเฟตชนิด
Original Brandชื่อแบรนด์
มอสเฟตประเภทแพคเกจ
GT150N12T มอสเฟตลักษณะ
Chinaสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:TO-220 ทีโอ-220
อุณหภูมิในการทำงาน:-55 ถึง +150 องศาเซลเซียส
Series:GT150N12T จีที150เอ็น12ที
D/c:สุ่ม หรือ ติดต่อ
ใบสมัคร:มอสเฟต
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง:การอ้างอิงโยงมาตรฐาน
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):ไอซีมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):แรงดันพังทลายมาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:ความอิ่มตัวของ Vce มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):กระแสตัดวงจรมาตรฐานของตัวสะสม
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน hFE
Power-MAX:พลังงานมาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:ความถี่มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:ประเภทการติดตั้งมาตรฐาน, ประเภทการติดตั้งมาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน R1
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน R2
FET ประเภท:FET มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ:FET มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):มาตรฐาน Vdss
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:รหัสมาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:มาตรฐาน Rds เปิด
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:มาตรฐาน Vgs(th)
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:มาตรฐาน Qg
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:ระบบ CISS มาตรฐาน
ความถี่:ความถี่มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):พิกัดกระแสไฟฟ้ามาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน:เสียงรบกวนต่ำ
Power-เอาต์พุต:กำลังขับมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า:แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):แรงดันไฟฟ้ามาตรฐานของไดรฟ์
VGS (MAX):มาตรฐาน Vgs
IGBT ประเภท:IGBT มาตรฐาน
การกำหนดค่า:ตรวจสอบเอกสารข้อมูล
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC:เวคมาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:มาตรฐาน Cies
อินพุต:อินพุตมาตรฐาน
NTC Thermistor:มาตรฐาน NTC
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):มาตรฐาน V(BR)GSS
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0):มาตรฐาน Idss
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:รหัสมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id:ปิด VGS มาตรฐาน
ความต้านทาน-RDS (On):ความต้านทานมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):มาตรฐาน Vt
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):มาตรฐานอิกาโอ
Current-Valley (IV):มาตรฐาน IV
Current-Peak:กระแสสูงสุดมาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์:ทรานซิสเตอร์มาตรฐาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
GT150N12T
ชนิด
มอสเฟต
ชื่อแบรนด์
Original Brand
ประเภทแพคเกจ
มอสเฟต
ลักษณะ
GT150N12T มอสเฟต
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
TO-220 ทีโอ-220
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ถึง +150 องศาเซลเซียส
Series
GT150N12T จีที150เอ็น12ที
D/c
สุ่ม หรือ ติดต่อ
ใบสมัคร
มอสเฟต
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง
การอ้างอิงโยงมาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
ไอซีมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
แรงดันพังทลายมาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
ความอิ่มตัวของ Vce มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
กระแสตัดวงจรมาตรฐานของตัวสะสม
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน hFE
Power-MAX
พลังงานมาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
ความถี่มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
ประเภทการติดตั้งมาตรฐาน, ประเภทการติดตั้งมาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน R1
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน R2
FET ประเภท
FET มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
FET มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน Vdss
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
รหัสมาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
มาตรฐาน Rds เปิด
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
มาตรฐาน Vgs(th)
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
มาตรฐาน Qg
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
ระบบ CISS มาตรฐาน
ความถี่
ความถี่มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
พิกัดกระแสไฟฟ้ามาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน
เสียงรบกวนต่ำ
Power-เอาต์พุต
กำลังขับมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐานของไดรฟ์
VGS (MAX)
มาตรฐาน Vgs
IGBT ประเภท
IGBT มาตรฐาน
การกำหนดค่า
ตรวจสอบเอกสารข้อมูล
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
เวคมาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
มาตรฐาน Cies
อินพุต
อินพุตมาตรฐาน
NTC Thermistor
มาตรฐาน NTC
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
มาตรฐาน V(BR)GSS
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
มาตรฐาน Idss
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
รหัสมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
ปิด VGS มาตรฐาน
ความต้านทาน-RDS (On)
ความต้านทานมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
มาตรฐาน Vt
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
มาตรฐานอิกาโอ
Current-Valley (IV)
มาตรฐาน IV
Current-Peak
กระแสสูงสุดมาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์มาตรฐาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
3X2X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.006 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
ตัวเลือกการปรับแต่ง
โลโก้ที่กำหนดเอง (ยอดซื้อขั้นต่ำ : 10,000 ชิ้น )
บรรจุภัณฑ์ที่กำหนดเอง (ยอดซื้อขั้นต่ำ : 10,000 ชิ้น )
การปรับแต่งกราฟิก (ยอดซื้อขั้นต่ำ : 10,000 ชิ้น )
ดูรายละเอียด
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
ปรับแต่งได้
10 - 499 ชิ้น
฿10.48
500 - 999 ชิ้น
฿6.35
>= 1000 ชิ้น
฿5.72
รูปแบบ
เลือกเลยSpecification
GT150N12T จีที150เอ็น12ที
ตัวเลือกการปรับแต่ง
โลโก้ที่กำหนดเอง (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 10000 ชิ้น )
บรรจุภัณฑ์ที่กำหนดเอง (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 10000 ชิ้น )
การปรับแต่งกราฟิก (สั่งซื้อขั้นต่ำ : 10000 ชิ้น )
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
