All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

BCF30อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ TSOP-6 VB8658 (Mosfet) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿8.55-33.56

MOQ: 1

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

SSM3J374R อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนาม2SK4065-DL-1E-VB TO-263(D2PAK) ทรานซิสเตอร์ (มอสเฟท) แบบดั้งเดิมใหม่

฿25.65-97.20

MOQ: 1

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

G15N60อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

STRW6754 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

SDK08 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ภาคสนามทรานซิสเตอร์ IRFPC60PBF ไป-247-3 (Mosfet) แบบดั้งเดิมและใหม่เอี่ยม

฿92.77-325.78

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: