All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Mosfet

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

B88069X2311S102 อินฟ-อินีออน MOSFET เครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 1

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 2

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 3

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 4

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 5

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C - Product Image 6

XBM-DR16S อินเอฟ-อินออนมอสเฟทความถี่สูงติดตั้งบนพื้นผิว-50C กับ150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

MAX3314EESA อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 1

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 2

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 3

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 4

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 5

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO - Product Image 6

2SC2879 อินฟ-ไนออน โมสเฟต แอมพลิฟายเออร์กำลังสูงความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE ISO

฿3.17-7.29

MOQ: 10

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

6GT2800-5BD00 อินฟ-ไนออน MOSFET เครื่องขยายเสียงกำลังความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 1

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 2

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 3

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 4

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 5

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C - Product Image 6

MP2307DN อินฟ-ไนออน โมสเฟตเครื่องขยายเสียงความถี่สูงแบบติดตั้งบนพื้นผิว -50C ถึง 150C

฿3.17-7.29

MOQ: 10

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 1

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 2

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 3

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 4

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 5

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO - Product Image 6

Infineon TZ430N22KOF 302 ซีพียู โมดูลขยายกำลังความถี่สูงแบบ MOSFET ติดตั้งบนพื้นผิว อุณหภูมิการใช้งาน -50°C ถึง 150°C ได้รับการรับรองมาตรฐาน CE และ ISO

฿3.17-7.29

MOQ: 10

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 1

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 2

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 3

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 4

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 5

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส - Product Image 6

ADN-40-20-I-P-A อินฟ-ไนออน โมสเฟต ตัวขยายสัญญาณกำลังความถี่สูง แบบติดตั้งบนพื้นผิว -50 องศาเซลเซียส ถึง 150 องศาเซลเซียส

฿3.17-7.29

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: