All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A11F1D332MQ0T0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม.

฿1.93-8.36

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PMD-224K1200VDC ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 220nF 10% 1.2kV

฿15.76-61.41

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG400M127N320S1AA ขนาด D18xL32 มม. 120uF 20% 400V 1.72A-100kHz

฿19.29-72.98

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223J2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 5% 450V

฿1.61-6.43

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบไฮบริดของแข็ง-ของเหลว HBZ151M1HTR-1013 อลูมิเนียม SMD, ขนาด D10xL12.5 มม. 150uF 20% 50V

฿10.61-41.80

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคอลูมิเนียมผ่านรูแบบ RZW391M1JBK-1325ส่วนประกอบ THT D12.5xL25mm 390uF 20% 63V 5mm

฿11.26-44.05

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF223K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 22nF 10% 450V

฿0.9645-3.22

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 63ZLJ680M12.5X25 ขนาด D12.5xL25 มม. 680uF 20% 63V 1.54A-120Hz

฿15.76-62.05

MOQ: 1