All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S201K33S3NN63L6R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=6.4 มม. 200pF 10% 1kV 6.4 มม.

฿3.21-12.50

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1E390KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 39pF 10% 3kV 7.5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-473J630VDCP15D0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 47nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿1.61-6.73

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2E4AA425MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 10nF 10% 250V

฿0.9608-3.21

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม.

฿32.35-118.50

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MEF124J2G3AS3031A1 แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 120nF 5% 400V

฿1.61-6.09

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-682K1KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 6.8nF 10% 1kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿0.9608-3.21

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6105KF ( ค่าความจุ: 1uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 630V )

฿13.78-54.13

MOQ: 1