All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81P8Y5V1E472MSEAT0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV รุ่น Y5V

฿0.9608-4.17

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R13B1B332KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF 10% 2kV 5 มม.

฿3.21-12.82

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V

฿2.89-11.85

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PNEFL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 1

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 2

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 3

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 4

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 5

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF - Product Image 6

100V 250V 400V 450V เรเดียลตัวเก็บประจุ150uF 180uF 200uF 270uF 600uF 680UF 820uF 1200uF 1800uF

฿4.17-5.77

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม 100V 250V 400V 450V 150uf 180uf 200uf 270uf 600uf 680uf 820uf 1200uf 1800uf

฿4.17-5.77

MOQ: 100

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 1

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 2

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 3

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 4

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 5

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V - Product Image 6

CT81N9Y5V1D103MSEAT0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 20% 1kV Y5V

฿0.6406-3.21

MOQ: 10