All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A08S1E470KN0B0S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 6kV 7.5 มม.

฿1.59-6.36

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242G222J20A201ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 2.2nF 5% 400V

฿1.28-5.09

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DHG010M337E110S1AA ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 340mA-100kHz

฿0.3176-1.28

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CS1-F6Y5V2B104ZSPW แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5 มม.

฿0.3176-1.28

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม.

฿9.21-35.88

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น DGA450M187N313S1AA ขนาด D18xL31 มม. 180uF 20% 450V 7.5 มม.

฿33.98-123.84

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 1

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 2

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 3

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 4

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 5

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz - Product Image 6

CD26G2GM2R2E120T ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D6.3xL12mm 2.2uF 20% 400V 60mA-100kHz

฿0.3176-1.28

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E151KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 150pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.9526-3.50

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น