All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-101M1ATR-0606, ขนาด D6.3xL5.7 มม. 100uF 20% 10V 6.3 มม.

฿1.61-6.11

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H333ZA1PD3F4D30MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=2.54 มม. ความจุ 33nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 2.54 มม.

฿0.3215-0.9645

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2473KN1A0120070040EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿0.9645-4.18

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม R82EC1470AA50J ( ค่าความจุ: 4.7nF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿2.26-8.69

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFA2E683JC1H10095A00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 68nF 5% 250V

฿0.643-2.90

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A222KD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿0.643-2.26

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น ULD2D4R7MED1TD ขนาด D6.3xL11 มม. 4.7uF 20% 200V 49mA-120Hz

฿3.54-13.83

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-824J250VDCP10C11ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 820nF 5% 250V โพรพิลีนโลหะ

฿4.18-15.76

MOQ: 5