All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-223K1.25KVDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF 10% 1.25kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿0.9633-4.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿7.07-27.94

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC4A472ME1IEF4AH7100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 10kV ขนาด 10 มม.

฿5.46-21.52

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC561J34SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 560pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม.

฿0.6422-3.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ

฿3.22-13.17

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J100V82CL0035ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ

฿3.22-13.17

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECQE6223KF แบบ Through hole (THT), P=10มม. 22นิวตัน-โวลต์ 10% 630โวลต์ โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿4.18-17.02

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 10uF 50V X7R SMD 1210/3225 MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P

฿1,834.96

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน