All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คาปาซิเตอร์แอร์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYPNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.643-2.26

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden HMK316AC7225KL-TE MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% ± 2K /r

฿3,265.97-3,368.20

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HA00 A153

฿1.61-28.94

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD222KYVNAF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาด 7.5 มม.

฿0.9645-3.54

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ

฿1,166.99

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152

฿1.61-28.94

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103MYPNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 1kV 7.5 มม.

฿1.29-5.47

MOQ: 10

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบ AEC-Q200หลายชั้น UMK325B7475KMHP X7R 1210/3225 50V 4.7uF

฿2,225.00-2,347.48

MOQ: 1