All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1E331AP ขนาด D10xL10.2 มม. 330uF 20% 25V 238mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X152K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 1.5nF) (ความแม่นยำ: 10%) (แรงดันไฟฟ้า: 250V)

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBW221M1ETR-0810 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ชนิด SMD, ขนาด D8xL10 มม. 220uF 20% 25V 8 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R08B8B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF 10% 2kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม B32524Q1226K000 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿96.15-327.15

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ VKME1651V681MV อลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD D10xL16.5mm 680UF 20% 35V 2.12A-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู HVC-10KV-DL15-F12.5-681K ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=12.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE2AA220UP ขนาด D8xL10.2 มม. 22uF 20% 100V 70mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1