All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1H330P, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 33uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 50V กระแสไฟฟ้า 91mA ความถี่ 120Hz

฿0.3176-1.59

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม EHLH822V400G13MT แบบ SMD, ขนาด D10xL13 มม. 8.2uF -10%~+20% 400V 10 มม.

฿0.3176-1.59

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VES010M1HTR-0405, ขนาด D4xL5.3 มม. 1uF 20% 50V 4 มม.

฿0.6351-3.18

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HVC-20KV-DL08-F9.5-101K ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม.

฿23.18-87.64

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VE-100M1ETR-0505, ขนาด D5xL5.3 มม. 10uF 20% 25V 5 มม.

฿1.28-5.40

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKMD2052C390MV, ขนาด D8xL20.5 มม. ความจุ 39uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 160V กระแสไฟฟ้า 580mA ความถี่ 100kHz

฿2.55-9.85

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F221K29S3NR63K7R แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 3kV 7.5 มม.

฿4.13-15.88

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 3A222ZC1G-F4-ZNR แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3176-0.9526

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น