All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 1

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 2

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 3

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 4

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 5

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V ) - Product Image 6

R60DN44705030J ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ( ค่าความจุไฟฟ้า: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 63V )

฿39.67-144.06

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ECHU1C104GX5 ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 100nF )( ความแม่นยำ: 2% แรงดันไฟฟ้า: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A471MA1PDB44B3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 470pF 20% 100V 2.54 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF471K2J3AA320MA1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 470pF 10% 630V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R11F2E103MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15F1E223MN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 22nF 20% 2kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

35MU475KC44532 ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 1812 ( ค่าความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1