All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAC221XAP ขนาด D6.3xL7.7 มม. 220uF 20% 16V 105mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น UKA1V331MPD1TD ชนิด Through Hole Component (THT) ความจุ 330uF 20% 35V 350mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

0603F474M500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A474JD1B0070095045EOX แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F6C1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D472KD1JEB4CD5000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5