All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ รุ่น RAHTX331M1TFH0002ZT แบบ SMD

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น CLZ50V330M12.5*13.5 12.5TP ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 330uF 20% 50V 550mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 1

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 2

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 3

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 4

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 5

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz - Product Image 6

EKXJ161ELL221MK35S ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู D12.5xL35mm 220uF 20% 160V 1.04A-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

EEVFK1V102M ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD ( ความจุ: 1000uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAD47 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น SM2271CME072RB (THT), ขนาด D8xL7 มม. 220uF 20% 16V 3.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1