All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ บั้ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียม SMD รุ่น VZH102M1ETR-1313, ขนาด D12.5xL13.5 มม. ความจุ 1000uF 20% 25V 12.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UUG1V102MNQ6MS, ขนาด D12.5xL21 มม. ความจุ 1000uF ความคลื่นความถี่ 20% 35V 1A-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 1

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 2

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 3

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 4

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 5

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz - Product Image 6

NFA250V220M18 * 31.5ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรูผ่านรู D18xL31.5mm 220uF 20% 250V 850mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น 25MH522MEFCT56.3X5 ขนาด D6.3xL5 มม. 22uF 20% 25V 44mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM227M250L36RR0VH2FP0 ขนาด D18xL36 มม. 220uF 20% 250V ขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น LB2G680ML300A00CV0 ขนาด D16xL30 มม. 68uF 20% 400V 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN 1210/3225 X7R 50V 10% รุ่น MSASU32MAB7106KPNA01 UMK325AB7106KM-P

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1