All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

GCM1885C1H470JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 47pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3273-0.9819

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFD2W225JC, ระยะขา P=15 มม. ความจุ 2.2 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 450 โวลต์

฿8.84-35.02

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VJ2008A101JXUSTX1 รุ่น 2008 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าใช้งาน (AC): 250V )

฿32.08-121.43

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม.

฿6.22-24.22

MOQ: 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V) - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole รุ่น TO-220-50W-430mR-5% (ความต้านทาน: 430mΩ) (ความแม่นยำ: 5%) (แรงดันใช้งาน: 350V)

฿55.97-203.25

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV55N472J102EGG ขนาด 2220 (ค่าความจุ: 4.7nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV

฿15.06-59.24

MOQ: 1

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 1

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 2

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 3

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 4

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 5

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV - Product Image 6

HVLR1905J1M80K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D6.5xL19mm ฟิล์มหนา1.8mOhm 5% 3.5kV

฿187.54-579.63

MOQ: 1

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

GRM1885C1H181JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 180pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3273-0.9819

MOQ: 1