All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

SMW24R7JT ตัวต้านทานแบบ SMD SMD,6.7x4 มม. (ประเภท: แบบลวดพัน)( ความต้านทาน: 4.7 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿5.57-21.61

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C104J3GACTU ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 100nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 25V )

฿14.41-55.97

MOQ: 1

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 1

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 2

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 3

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 4

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 5

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V) - Product Image 6

GRM1555C1E102JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0402 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V)

฿0.3273-1.64

MOQ: 1

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

UMK105CG220JV-F ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

฿0.0655-0.3273

MOQ: 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CF1/8W4R7JT52 ขนาด D1.8xL3.3 มม. ฟิล์มคาร์บอน 4.7 โอห์ม 5% 200V

฿1.97-7.53

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206C103J2GACAUTO ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 200V )

฿8.51-33.06

MOQ: 1

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 1

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 2

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 3

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 4

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 5

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V ) - Product Image 6

GRM1885C2A220JA01D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0603 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 100V )

฿0.3273-0.9819

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MMKP124J2J2201 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 120nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V

฿5.57-22.59

MOQ: 1