All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 1

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 2

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 3

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 4

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 5

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18 - Product Image 6

GRM32DR61A226ME18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61A226ME18

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 1

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 2

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 3

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 4

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 5

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01 - Product Image 6

GRM31CB10J106MC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB10J106MC01

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 1

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 2

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 3

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 4

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 5

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15 - Product Image 6

GRM319R61C106ME15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R61C106ME15

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 1

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 2

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 3

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 4

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 5

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC - Product Image 6

C3225X7R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1210 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1E106M250AC

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 1

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 2

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 3

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 4

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 5

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75 - Product Image 6

GRM32DB31E106MA75 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM32DB31E106MA75

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า AFC477M16G24T-F 470 ยูเอฟ อลูมิเนียม 470UF 20% 16V SMD

฿9.60-18.86

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 1

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 2

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 3

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 4

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 5

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 6

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 1

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 2

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 3

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 4

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 5

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11 - Product Image 6

GCH188R61C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GCH188R61C106ME11

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs