All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK106M50D16B-F รุ่นดั้งเดิม 10 ยูเอฟ อลูมิเนียม 10UF 20% 50V SMD

฿15.77-31.20

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AHA227M06D16T-F 220 ไมโครฟารัด ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว อะลูมิเนียม 220UF 20% 6.3V จากผู้ผลิต

฿3.78-7.20

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 1

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 2

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 3

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 4

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 5

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 6

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 47uF C5750X7R1E476M230KB

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 1

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 2

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 3

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 4

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 5

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC - Product Image 6

C3225X7R1N106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106M250AC

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 1

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 2

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 3

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 4

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 5

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF - Product Image 6

GRM31CR60G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X5R GRM31CR60G107MEA8 85 100uF

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 1

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 2

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 3

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 4

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 5

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 6

GRM32DR61C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 1

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 2

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 3

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 4

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 5

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 6

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD

฿17.15-68.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 1

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 2

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 3

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 4

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 5

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20) - Product Image 6

กันชนหลังจากัวร์ F-Pace Series HK8317D781AA AJ200D/204DT (16>20)

฿23,290.44

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

1 yrs

IT