All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 1
KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 2
KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 3
KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 4
KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 5
KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13 - Product Image 6

KCM55QR71H226KH13(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55QR71H226KH13

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 1
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 2
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 3
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 4
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 5
GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF - Product Image 6

GGM32EC7YA106KA03(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 35Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC7YA106KA03 10uF

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 1
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 2
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 3
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 4
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 5
GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF - Product Image 6

GGM32EC71H106KA03(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 GGM32EC71H106KA03 10uF

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 1
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 2
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 3
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 4
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 5
GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF - Product Image 6

GGM21BR71A106KE22(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 GGM21BR71A106KE22 10uF

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 1
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 2
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 3
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 4
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 5
GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08 - Product Image 6

GCJ32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCJ32EL8EF226KE08

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 1
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 2
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 3
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 4
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 5
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 6

GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 1
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 2
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 3
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 4
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 5
GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01 - Product Image 6

GCG21BR71A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106KE01

฿16.40-65.58
MOQ: 1
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 1
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 2
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 3
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 4
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 5
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 6

GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07

฿16.40-65.58
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy