All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 1
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 2
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 3
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 4
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 5
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 6

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6 MCP1501T-50E/CHY ผู้ผลิตส่วนประกอบ IC VREF ชุด5V SOT23 6การจัดการพลังงาน (PMIC)

฿11.74-15.65
MOQ: 1
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 1
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 2
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 3
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 4
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 5
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 6

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 1
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 2
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 3
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 4
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 5
GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 6

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 1
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 2
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 3
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 4
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 5
GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01 - Product Image 6

GRM155C80E156ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0402 15 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME01

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 1
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 2
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 3
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 4
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 5
GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01 - Product Image 6

GRM31CR11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% R 125 10uF GRM31CR11A106MA01

฿16.30-65.20
MOQ: 1
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 1
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 2
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 3
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 4
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 5
ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF - Product Image 6

ZRB18AR61E106ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F ± 25Vdc 20% X5R ZRB18AR61E106ME01 85 10uF

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 1
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 2
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 3
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 4
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 5
GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12 - Product Image 6

GRJ31CR71A226KE12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ31CR71A226KE12

฿16.30-65.20
MOQ: 1
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 1
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 2
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 3
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 4
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 5
CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655 - Product Image 6

CHY MB-102 สำหรับโมดูล 400 830 จุด 65 สายจัมเปอร์แบบไม่ต้องบัดกรี สำหรับทดสอบ PCB พัฒนาโมดูลจ่ายไฟ DIY D655

฿13.04-26.08
MOQ: 5

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy